[文章導讀] 在照射頻率確定時，都是H核，所以吸收峰的位置應該是相同的，而實際不是這樣。這種氫核吸收峰所在的相對不同位置就叫化學位移。

在照射頻率確定時，都是H核，所以吸收峰的位置應該是相同的，而實際不是這樣。這種氫核吸收峰所在的相對不同位置就叫化學位移。

核磁共振波譜儀化學位移是由核外電子的屏蔽效應引起的。H核在分子中是被價電子所包圍的。因此，在外加磁場的同時，還有核外電子繞核旋轉產(chǎn)生感應磁場H’。如果感應磁場與外加磁場方向相反，則H核的實際感受到的磁場強度為：H_實=H₀-H’=H₀-σH₀=H₀(1-σ)（σ為屏蔽常數(shù)）

核外電子對H核產(chǎn)生的這種作用，稱為屏蔽效應（如果產(chǎn)生磁場與外加磁場同向，稱之為去屏蔽效應）。顯然，核外電子云密度越大，屏蔽效應越強，要發(fā)生共振吸收就勢必增加外加磁場強度，共振信號將移向高場區(qū)；反之，共振信號將移向低場區(qū)。

因此化合物的核磁共振波譜儀譜圖中，峰的數(shù)目表示分子中帶有磁矩的質子有多少種，峰的強度（面積）即代表每類質子的相對數(shù)目，峰的位移即化學位移可以分析每類質子在分子機構中所處的化學環(huán)境。

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