[文章導(dǎo)讀] 普通消費(fèi)品領(lǐng)域用真空等離子清洗機(jī)設(shè)備對(duì)表面進(jìn)行預(yù)處理，可以確保各類材料均可實(shí)現(xiàn)最大程度的表面活化。生產(chǎn)時(shí)不產(chǎn)生有害物質(zhì)，可以確保具有可靠的附著性能，而且無需使用溶劑。

等離子體可以增強(qiáng)化學(xué)氣象沉積（點(diǎn)擊了解詳情），北京歐倍爾告訴你幾個(gè)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣象沉積的實(shí)驗(yàn)。

1、微波等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣象沉積金剛石薄膜實(shí)驗(yàn)

化學(xué)氣相沉積是使幾種氣體（多數(shù)場(chǎng)合為2種）在高溫下發(fā)生熱化學(xué)反應(yīng)而生成固體的反應(yīng)。由于等離子體具有高能量密度、高活性離子濃度、從而引發(fā)在常規(guī)化學(xué)反應(yīng)中不能或難以實(shí)現(xiàn)的物理變化和化學(xué)變化，等離子體CVD是通過能量激勵(lì)將工作物質(zhì)激發(fā)到等離子體態(tài)從而引發(fā)化學(xué)反應(yīng)生成固體，具有沉積溫度低、能耗低、無污染等優(yōu)點(diǎn)，因此等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣象沉積得到了廣泛的應(yīng)用。

2、石英玻璃等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣象沉積法制備

石英玻璃等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣象沉積制備是以高頻等離子體作為熱源，用化學(xué)氣相沉積法合成高純石英玻璃的實(shí)驗(yàn)裝置。液滴生長(zhǎng)凝聚動(dòng)力學(xué)的分析表明，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣象沉積過程中的顆粒沉積過程分為三個(gè)階段：化學(xué)反應(yīng)階段，成核階段，粘附沉積階段。合成的石英玻璃光譜性能優(yōu)越，羥基低，紫外透過率高，波長(zhǎng)在188～3200nm之間的光透過率均在84％以上。能夠滿足高技術(shù)領(lǐng)域?qū)挷ǘ喂馔高^材料的需求。

等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣象沉積法

3、低溫等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣象沉積技術(shù)制備碳納米管

由于等離子體在低溫下具有高活性的特點(diǎn)，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣象沉積（PECVD）技術(shù)可顯著降低薄膜沉積的溫度范圍。通常條件下，高質(zhì)量碳納米管的生長(zhǎng)要求800℃以上的基片溫度，若能使該溫度降到400℃以下，則對(duì)許多應(yīng)用非常有利，如可以在玻璃基片上沉積碳納米管場(chǎng)發(fā)射電極。目前，碳納米管基納電子器件的研制這一課題備受關(guān)注，如果能實(shí)現(xiàn)低溫原位制備碳納米管，則可能將納電子器件與傳統(tǒng)的微電子加工工藝結(jié)合并實(shí)現(xiàn)超大容量的超大規(guī)模集成電路。

4、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣象沉積條件對(duì)氮化硅薄膜性能的影響

氮化硅薄膜是一種物理、化學(xué)性能十分優(yōu)良的介質(zhì)膜，具有高的致密性、高的介電常數(shù)、良好的絕緣性能和優(yōu)異的抗Na+能力等，因此廣泛應(yīng)用于集成電路的最后保護(hù)膜、耐磨抗蝕涂層、表面鈍化、層間絕緣、介質(zhì)電容等。氮化硅膜已用于制作新功能、多功能、高可靠性的器件，等離子表面處理，其特性在很大程度上依賴于薄膜的制作條件。等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣象沉積（簡(jiǎn)稱PECVD）具有沉積溫度低（ < 400 ℃） 、沉積膜針孔密度小、均勻性好、臺(tái)階覆蓋性好等優(yōu)點(diǎn)。PECVD氮化硅薄膜技術(shù)已在半導(dǎo)體器件、集成電路的研制、芯片的鈍化膜和多層布線間介質(zhì)膜制作中得到廣泛應(yīng)用，并發(fā)展成為大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路（LSI和VLSI）工藝的重要組成分。隨沉積生長(zhǎng)條件的不同，薄膜特性差別很大，有必要對(duì)氮化硅膜的性質(zhì)與沉積條件進(jìn)行全面的研究。

5、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣象沉積端面減反膜的研究

利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣象沉積（PECVD）技術(shù)制作半導(dǎo)體有源器件端面減反膜的方法簡(jiǎn)單易行，且適合進(jìn)行大規(guī)模在片制作。采用1/ 4 波長(zhǎng)匹配法對(duì)減反膜的折射率、膜厚及其容差進(jìn)行了理論設(shè)計(jì)，并在選定折射率下，對(duì)PECVD 的沉積速率進(jìn)行了測(cè)量。在此基礎(chǔ)上，制作了1. 31μm InGaAsP 氧化膜條形結(jié)構(gòu)超輻射發(fā)光二極管，通過測(cè)定輸出光譜調(diào)制系數(shù)的方法確定出減反射膜的反射率為6. 8 ×10-4 ，并且具有很好的可重復(fù)性。

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